Польовий Транзистор IRFB3006G
Найменування приладу: IRFB3006G
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 375 W
Гранично допустима напруга стік-витік (Uds): 60 V
Гранично допустима напруга затвор-витік (Ugs): 20 V
Максимально допустимий постійний струм стоку (Id): 270 A
Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds): 0.0025 Ohm
Тип корпусу: TO220AB
Характеристики
Основні | |
---|---|
Країна виробник | Китай |
Тип транзистора | Польовий |
Максимально допустимий струм стоку | 270 А |
Тип польового транзистора | З індукованим каналом |
Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
Специфікація
Інформація для замовлення
- Ціна: 47,50 ₴