Транзистор біполярний B772M PNP 30V 3A SOT-89-3L
- Більше 10 од.
- Оптом і в роздріб
- Код: 25298
3,20 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 250 ₴
Транзистор біполярний B772M PNP 30V 3A SOT-89-3L
B772M — потужний біполярний PNP-транзистор у компактному SMD-корпусі SOT-89-3L, призначений для комутації та підсилення струму в електронних пристроях. Максимальний постійний струм колектора становить −3 А, допустима напруга колектор-емітер — −30 В, а колектор-база — −40 В. У документації виробник окремо вказує застосування транзистора для низькошвидкісної комутації.
Особливості
🔹 PNP-структура. B772 є одиночним біполярним PNP-транзистором. Він може використовуватися у ключових і підсилювальних каскадах, де потрібне керування відносно великим струмом.
🔹 Струм колектора до 3 А. Максимально допустимий постійний струм колектора становить −3 А. Це дозволяє використовувати транзистор для керування реле, світлодіодними навантаженнями, невеликими двигунами та іншими споживачами.
🔹 Низька напруга насичення. Максимальна напруга колектор-емітер у режимі насичення становить −0,5 В при IC=−2 А та IB=−0,2 А. Це допомагає зменшити втрати потужності при роботі транзистора як ключа.
🔹 Гранична частота 50 МГц. Параметр fT становить 50 МГц при VCE=−5 В та IC=−0,1 А. Це дозволяє використовувати транзистор не лише у статичних ключах, а й у відносно швидких схемах. B772RANGE160_320_89
🔹 Компактний корпус SOT-89-3L. Корпус призначений для поверхневого монтажу та має три виводи. Розпинування виробника: 1 — Base, 2 — Collector, 3 — Emitter.
Переваги
✔ Струм до 3 А
✔ Низьке VCE(sat)
✔ hFE 160–320
✔ Частота 50 МГц
✔ Компактний SMD
✔ Корпус SOT-89
Застосування
✅ Ключові схеми
✅ Драйвери реле
✅ LED-драйвери
✅ Керування двигунами
✅ Перетворювачі живлення
✅ Стабілізатори напруги
✅ Підсилювальні каскади
✅ Побутова електроніка
Опис інтерфейсів
🔸 Вивід 1 — Base (B), база. Керуючий вивід транзистора.
🔸 Вивід 2 — Collector (C), колектор. Основний силовий вивід колекторного переходу.
🔸 Вивід 3 — Emitter (E), емітер. Вивід емітера транзистора.

Інструкція до використання
1️⃣ Визначте виводи транзистора відповідно до розпинування 1-B, 2-C, 3-E.
2️⃣ Для роботи у ключовому режимі розрахуйте необхідний струм бази відповідно до струму навантаження.
3️⃣ Встановіть струмообмежувальний резистор у ланцюг бази.
4️⃣ При роботі з індуктивним навантаженням використовуйте захисний діод від імпульсів самоіндукції.
5️⃣ Не перевищуйте максимально допустимий струм колектора 3 А.
6️⃣ При значному навантаженні забезпечте достатній тепловідвід через мідні площадки друкованої плати.
7️⃣ Після монтажу перевірте правильність полярності PNP-транзистора та відсутність перегрівання.
Заходи безпеки
⚠️ Не перевищуйте напругу колектор-база −40 В.
⚠️ Не перевищуйте напругу колектор-емітер −30 В.
⚠️ Не перевищуйте струм колектора −3 А.
⚠️ Не перевищуйте допустиму потужність розсіювання 0,5 Вт.
⚠️ При великих струмах забезпечуйте ефективне відведення тепла.
⚠️ Для індуктивних навантажень обов’язково передбачайте захист від імпульсів самоіндукції.
Технічні характеристики
⚙️ Модель: B772M
⚙️ Базове позначення у документації: B772
⚙️ Виробник: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd (CJ)
⚙️ Тип: біполярний транзистор
⚙️ Структура: PNP
⚙️ Схема з’єднання: одиночний
⚙️ Корпус: SOT-89-3L
⚙️ Спосіб монтажу: SMD
⚙️ Маркування корпусу: B772
⚙️ Максимальна напруга колектор-база VCBO: −40 В
⚙️ Максимальна напруга колектор-емітер VCEO: −30 В
⚙️ Максимальна напруга емітер-база VEBO: −6 В
⚙️ Максимальний постійний струм колектора IC: −3 А
⚙️ Потужність розсіювання PC: 0,5 Вт
⚙️ Тепловий опір перехід–навколишнє середовище RθJA: 250 °C/Вт
⚙️ Максимальна температура переходу Tj: 150 °C
⚙️ Температура зберігання: −55…+150 °C
⚙️ Коефіцієнт передачі струму hFE для даної версії: 160–320
⚙️ Група hFE: Y
⚙️ Умови вимірювання hFE: VCE=−2 В, IC=−1 А
⚙️ Напруга насичення колектор-емітер VCE(sat): до −0,5 В
⚙️ Умови VCE(sat): IC=−2 А, IB=−0,2 А
⚙️ Напруга насичення база-емітер VBE(sat): до −1,5 В
⚙️ Умови VBE(sat): IC=−2 А, IB=−0,2 А
⚙️ Струм витоку колектор-база ICBO: до −1 мкА
⚙️ Струм витоку колектор-емітер ICEO: до −10 мкА
⚙️ Струм витоку емітер-база IEBO: до −1 мкА
⚙️ Гранична частота fT: 50 МГц
⚙️ Умови вимірювання fT: VCE=−5 В, IC=−0,1 А, f=10 МГц

Комплектація
📦 Транзистор B772M SOT-89-3L — 1 шт.
B772M — компактний PNP-транзистор для поверхневого монтажу з максимальним струмом 3 А, коефіцієнтом передачі струму 160–320 та граничною частотою 50 МГц, придатний для ключових, драйверних та підсилювальних каскадів.
| Основні | |
|---|---|
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Тип біполярного транзистора | P-N-P |
| Максимально допустима напруга колектор-база | 40 В |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 30 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 3 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Виробник | SAT |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 50 МГц |
| Мінімальна робоча температура | -50 град. |
| Максимальна робоча температура | 150 град. |
| Стан | Новий |
- Ціна: 3,20 ₴










