Транзистор польовий IRFB7430PBF N CH 40V 195A 1.3mOhm TO-220

Транзистор польовий IRFB7430PBF N CH 40V 195A 1.3mOhm TO-220

   IRFB7430PBF — потужний N-канальний MOSFET серії HEXFET® / StrongIRFET™, розрахований на роботу у низьковольтних силових колах із дуже великими струмами. Транзистор має максимальну напругу стік-витік 40 В, надзвичайно низький опір відкритого каналу до 1,3 мОм та корпус TO-220AB, що дозволяє ефективно відводити тепло через радіатор. У даташиті виробника вказано струм, обмежений корпусом, 195 А, тоді як розрахунковий silicon-limited струм при 25 °C становить до 409 А. 

Особливості
🔹 Наднизький опір відкритого каналу. Типове значення RDS(on) становить 1,0 мОм, максимальне — 1,3 мОм при VGS = 10 В та ID = 100 А. При VGS = 6 В та ID = 50 А типове значення становить близько 1,2 мОм.
🔹 Висока струмова здатність. Розрахунковий постійний струм стоку при TC = 25 °C сягає 409 А, при TC = 100 °C — 289 А, однак практичне обмеження струму корпусом і бондингом становить 195 А.
🔹 Підвищена стійкість силового ключа. Конструкція має покращену стійкість затвора, лавинну стійкість і покращені характеристики при високих dV/dt та dI/dt. Це важливо для імпульсних перетворювачів, моторних приводів і мостових схем.
🔹 Велика допустима потужність розсіювання. Максимальна потужність розсіювання при температурі корпусу 25 °C становить 375 Вт, а тепловий опір кристал-корпус — лише 0,40 °C/Вт. Для використання значної частини цього потенціалу потрібен відповідний радіатор.
🔹 Корпус TO-220AB. Стандартний силовий корпус зручний для монтажу та встановлення на радіатор. Виводи мають стандартну для цього транзистора конфігурацію Gate–Drain–Source.

Переваги
✔ RDS(on) до 1,3 мОм
✔ Струм до 195 А
✔ Напруга до 40 В
✔ Висока лавинна стійкість
✔ Корпус TO-220AB

Застосування
✅ Драйвери DC-двигунів
✅ Драйвери BLDC-двигунів
✅ Акумуляторні пристрої
✅ Напівмостові схеми
✅ Повномостові схеми
✅ Синхронні випрямлячі
✅ DC-DC перетворювачі
✅ AC-DC перетворювачі
✅ DC-AC інвертори
✅ Силові електронні ключі

Сам виробник окремо рекомендує IRFB7430PbF для brushed/BLDC motor drive, battery-powered circuits, half-bridge/full-bridge topologies, synchronous rectification, DC/DC, AC/DC та DC/AC схем.

Опис виводів
🔸 1 — Gate (G), затвор: керуючий вивід MOSFET.
🔸 2 — Drain (D), стік: силовий вивід; металевий тепловідвід корпусу також електрично пов’язаний зі стоком.
🔸 3 — Source (S), витік: силовий вивід.
🔸 Розташування виводів для TO-220AB наведене виробником як G–D–S. 

Інструкція до використання
1️⃣ Підключіть виводи Gate, Drain і Source відповідно до схеми пристрою.
2️⃣ Для мінімального RDS(on) використовуйте керування затвором близько 10 В; порогова напруга 2,2–3,9 В є лише напругою початку відкривання транзистора.
3️⃣ При великих струмах обов’язково використовуйте радіатор з достатньою тепловіддачею.
4️⃣ Для імпульсного керування використовуйте драйвер затвора, здатний швидко заряджати та розряджати значну ємність затвора.
5️⃣ Не перевищуйте максимально допустимі значення VDS, VGS, струму та температури кристала.

Заходи безпеки
⚠️ Не перевищуйте максимальну напругу стік-витік 40 В.
⚠️ Не перевищуйте напругу затвор-витік ±20 В.
⚠️ Значення 409 А є silicon-limited і не є практично допустимим постійним струмом через корпус; корпусне обмеження становить 195 А.
⚠️ При великих струмах можливе додаткове нагрівання виводів і з’єднань, тому монтаж повинен мати низький опір.
⚠️ Металева пластина корпусу електрично з’єднана зі стоком.
⚠️ Не допускайте перевищення температури переходу +175 °C.
⚠️ Для монтажу на спільний радіатор із іншими елементами за потреби використовуйте електроізоляційну прокладку.

Технічні характеристики
⚙️ Виробник: International Rectifier / Infineon Technologies
⚙️ Модель: IRFB7430PBF
⚙️ Тип: силовий MOSFET
⚙️ Структура: N-channel
⚙️ Серія: HEXFET® / StrongIRFET™
⚙️ Схема: одиночний транзистор
⚙️ Корпус: TO-220AB
⚙️ Максимальна напруга стік-витік VDS: 40 В
⚙️ Максимальна напруга затвор-витік VGS: ±20 В
⚙️ Постійний струм стоку при TC = 25 °C, silicon-limited: 409 А
⚙️ Постійний струм стоку при TC = 100 °C, silicon-limited: 289 А
⚙️ Струм, обмежений корпусом / wire bond: 195 А
⚙️ Максимальний імпульсний струм стоку IDM: 1524 А
⚙️ RDS(on) при VGS = 10 В, ID = 100 А: тип. 1,0 мОм, макс. 1,3 мОм
⚙️ RDS(on) при VGS = 6 В, ID = 50 А: тип. 1,2 мОм
⚙️ Порогова напруга VGS(th): 2,2–3,9 В
⚙️ Пряма крутизна gfs: не менше 150 S
⚙️ Внутрішній опір затвора RG: тип. 2,1 Ом
⚙️ Максимальна потужність розсіювання при TC = 25 °C: 375 Вт
⚙️ Лінійний коефіцієнт зниження потужності: 2,5 Вт/°C
⚙️ Повний заряд затвора Qg: тип. 300 нКл, макс. 460 нКл
⚙️ Заряд Gate-Source Qgs: тип. 77 нКл
⚙️ Заряд Gate-Drain Qgd: тип. 98 нКл
⚙️ Час затримки ввімкнення td(on): тип. 32 нс
⚙️ Час наростання tr: тип. 105 нс
⚙️ Час затримки вимкнення td(off): тип. 160 нс
⚙️ Час спаду tf: тип. 100 нс
⚙️ Вхідна ємність Ciss: тип. 14240 пФ
⚙️ Вихідна ємність Coss: тип. 2130 пФ
⚙️ Зворотна передавальна ємність Crss: тип. 1460 пФ
⚙️ Максимальна пряма напруга вбудованого діода VSD: 1,2 В
⚙️ Час зворотного відновлення діода trr: тип. 52 нс
⚙️ Тепловий опір кристал-корпус RθJC: макс. 0,40 °C/Вт
⚙️ Тепловий опір корпус-радіатор RθCS: тип. 0,50 °C/Вт
⚙️ Тепловий опір кристал-навколишнє середовище RθJA: макс. 62 °C/Вт
⚙️ Робоча температура переходу: −55…+175 °C
⚙️ Температура зберігання: −55…+175 °C
⚙️ Максимальна температура пайки: 300 °C протягом 10 секунд
⚙️ RoHS: так
⚙️ Halogen-Free: так

   Динамічні параметри, заряд затвора, ємності та характеристики вбудованого діода наведені у таблицях даташита виробника. 

Комплектація
📦 Польовий транзистор IRFB7430PBF — 1 шт.

   IRFB7430PBF особливо добре підходить для низьковольтних силових схем, де критично важливі мінімальні втрати на ключі та робота з великим струмом. Опір до 1,3 мОм, корпус TO-220AB і висока струмова здатність роблять його вдалим вибором для потужних моторних драйверів, перетворювачів та акумуляторних систем.