Транзистор польовий XNF20N60T 20A 600V N-ch TO-220F

Транзистор польовий XNF20N60T 20A 600V N-ch TO-220F

    Транзистор XNF20N60T 20A 600V N-Channel IGBT TO-220F — це потужний IGBT-транзистор з інтегрованим швидкодіючим діодом, побудований за сучасною технологією Advanced Trench + Field Stop. Компонент призначений для використання в імпульсних джерелах живлення, інверторах, зварювальному обладнанні, системах керування електродвигунами та іншій силовій електроніці. Поєднання високої робочої напруги до 600 В, низьких втрат у відкритому стані та швидкого перемикання забезпечує високу ефективність і надійність роботи в енергетичних застосуваннях.

Особливості
🔹 Виконаний за технологією Advanced Trench + Field Stop (FS), що забезпечує зниження втрат провідності та високу швидкість перемикання.
🔹 Оснащений вбудованим швидкодіючим діодом, який спрощує проєктування силових схем та підвищує надійність роботи.
🔹 Низька напруга насичення колектор-емітер VCE(sat) дозволяє зменшити тепловиділення та підвищити енергоефективність пристрою.
🔹 Позитивний температурний коефіцієнт напруги насичення полегшує паралельне включення декількох транзисторів.
🔹 Витримує коротке замикання протягом 10 мкс, що підвищує стійкість до аварійних режимів роботи.
🔹 Високий вхідний опір забезпечує мінімальне навантаження на драйвер керування.
🔹 Підходить для роботи у високочастотних імпульсних перетворювачах завдяки швидкому перемиканню.
🔹 Безсвинцеве виконання (Pb-Free) відповідає сучасним екологічним вимогам виробництва електроніки.

Переваги
✔ Робоча напруга до 600 В
✔ Вбудований швидкодіючий діод
✔ Низька напруга насичення
✔ Висока швидкість перемикання
✔ Підтримка паралельного підключення
✔ Високий вхідний опір
✔ Стійкість до короткочасного короткого замикання
✔ Ізольований корпус TO-220F

Застосування
✅ Імпульсні джерела живлення
✅ Інвертори
✅ Перетворювачі напруги
✅ Зварювальні апарати
✅ Керування електродвигунами
✅ Сонячні інвертори
✅ Джерела безперебійного живлення
✅ Промислова силова електроніка

Опис інтерфейсів
🔸 Gate (G) — керуючий електрод затвора
🔸 Collector (C) — колектор транзистора
🔸 Emitter (E) — емітер транзистора
🔸 Вбудований діод — захист та робота в індуктивних навантаженнях
🔸 Корпус TO-220F — монтаж через отвори (THT)

Інструкція з використання
1️⃣ Встановіть транзистор у пристрій відповідно до схеми підключення.
2️⃣ Підключіть колектор, емітер та затвор згідно з проєктом.
3️⃣ Забезпечте керуючу напругу затвора відповідно до технічних вимог.
4️⃣ За необхідності встановіть радіатор для відведення тепла.
5️⃣ Перед подачею живлення перевірте правильність монтажу та відсутність коротких замикань.

Міри безпеки
⚠️ Не перевищуйте максимально допустиму напругу колектор-емітер.
⚠️ Забезпечте належне охолодження при роботі з великими струмами.
⚠️ Захищайте затвор від статичної електрики.
⚠️ Не перевищуйте допустимий струм колектора та діода.
⚠️ Використовуйте драйвери затвора, рекомендовані для IGBT-транзисторів.
⚠️ Монтаж та демонтаж виконуйте лише при відключеному живленні.

Технічні характеристики
⚙️ Виробник: XINER
⚙️ Тип компонента: IGBT-транзистор із діодом
⚙️ Структура: IGBT + Diode
⚙️ Схема з'єднання: одиночний
⚙️ Корпус: TO-220F
⚙️ Тип монтажу: THT (пайка в отвори)
⚙️ Максимальна напруга колектор-емітер (VCES): 600 В
⚙️ Напруга пробою колектор-емітер: 600 В
⚙️ Максимальний струм колектора при 25°C: 40 А
⚙️ Максимальний струм колектора при 100°C: 20 А
⚙️ Максимальний постійний струм діода при 25°C: 20 А
⚙️ Напруга насичення колектор-емітер VCE(sat) при IC=20A, 25°C: 1.7 В (тип.), 1.95 В (макс.)
⚙️ Напруга насичення колектор-емітер VCE(sat) при IC=20A, 125°C: 1.95 В (тип.)
⚙️ Порогова напруга затвора VGE(th): 4.0–6.5 В
⚙️ Типова порогова напруга затвора: 5.2 В
⚙️ Пряма напруга вбудованого діода VF при IF=20A: 1.8 В (тип.), 2.3 В (макс.)
⚙️ Прямий струм витоку затвор-емітер IGES (+30V): до 200 нА
⚙️ Зворотний струм витоку затвор-емітер IGESR (-30V): до 200 нА
⚙️ Струм колектора при закритому затворі ICES (VCE=600V): до 25 мкА
⚙️ Стійкість до короткого замикання: 10 мкс
⚙️ Виконання: Pb-Free (не містить свинцю)

Комплектація
📦 Транзистор XNF20N60T 20A 600V TO-220F — 1 шт.

   Транзистор XNF20N60T є сучасним силовим IGBT-рішенням для високовольтних та високострумових застосувань. Завдяки технології Field Stop, низьким втратам провідності та вбудованому діоду він забезпечує ефективну роботу в імпульсних джерелах живлення, інверторах та системах керування потужними навантаженнями.