Кошик
promo_banner
+380 (93) 045-66-80
+380 (96) 597-68-62
+380 (66) 178-28-89
пр. Слобожанський, 83, Дніпро, Україна
Кошик
Електронні компоненти, паяльне та вимірювальне обладнання, джерела живлення, хімія для пайки

Багатофункціональний ESR тестер GM328

  • Немає в наявності
  • Оптом і в роздріб
  • Код: 05347

808,30 ₴

Показати оптові ціни
Багатофункціональний ESR тестер GM328
Багатофункціональний ESR тестер GM328Немає в наявності
808,30 ₴
+380661782889
  • +380 (93) 045-66-80
    Офіс інтернет-магазину
  • +380 (96) 597-68-62
    Офіс інтернет-магазину
  • +380 (66) 178-28-89
    Офіс інтернет-магазину
  • +380 (95) 794-65-82
    Магазин - пр. Слобожанський, 83/3
  • +380 (95) 072-90-45
    Магазин - пр. Слобожанский, 83/3
+380661782889
  • +380 (93) 045-66-80
    Офіс інтернет-магазину
  • +380 (96) 597-68-62
    Офіс інтернет-магазину
  • +380 (66) 178-28-89
    Офіс інтернет-магазину
  • +380 (95) 794-65-82
    Магазин - пр. Слобожанський, 83/3
  • +380 (95) 072-90-45
    Магазин - пр. Слобожанский, 83/3
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця

Багатофункціональний ESR тестер GM328

Даний прилад призначений для перевірки радіодеталей на базі чіпа M328.

Характеристики

Автоматичне визначення npn,pnp біполярних транзисторів, N - і P - канальних MOSFET транзисторів, JFET транзисторів, діодів, подвійних діодів, тиристорів та симісторів.
Автоматичне визначення розташування виводів елемента.
Вимірювання h21 і порогового напруги база-емітер біполярного транзистора.
Виявлення захисного діода в біполярних і MOSFET транзисторах.
Вимірювання порогового напруги затвора і величини ємності затвора MOSFET.
Дозвіл виміру опору від 0,01 Ом до 50 Мом.
Вимірювання ESR конденсатора
Вимірювання індуктивності від 0,01 мГн до 20 Гн.
Так само, в прилад вбудовано:
вимірювач частоти.
частотний генератор (20 МГц, 10 МГц, 500 кГц, 250 кГц, 153,8462 кГц, 100 кГц, 50 кГц, 25 кГц, 10 кГц, 5000 Гц, 2500 Гц, 1000 Гц, 443,0170 Гц, 441,9890 Гц, 439,9956 Гц, 250 Гц, 100 Гц, 50 Гц, 10 Гц, 1000 мГц,),
Генератор 10-біт ШІМ сигналу,
вимірювач ємності і ESR конденсаторів (20пФ..1000мкФ)

 

Інструкція

Перед підключенням переконайтеся, що на досліджувані елементи не подається напруга і у разі тестування конденсаторів, переконайтеся, що вони розряджені! Тестер може бути пошкоджений і у вимкненому стані. На схемі тестера не передбачена захист. Якщо потрібно перевірити елементи, встановлені в схемі, то обладнання слід від'єднати від джерела живлення і всі елементи схеми повинні бути розряджені.

Порядок вимірювання

Автоматичне визначення елемента:

1.Підключіть елемент до роз'ємів 1-2-3, позначених на схемі 1. (Якщо у визначуваного елемента 3 виводу – підключіть їх до роз'ємів 1-2-3, якщо висновків два – підключення слід провести до будь-яких двох роз'ємів (1-2; 2-3; 1-3)).

2.Короткочасно натисніть на кнопку TEST і відпустіть її. На дисплеї з'явиться напис «Testing...» Через кілька секунд на дисплеї буде відображена інформація по досліджуваному об'єкту.

Ручний вибір

1. Подключите элемент к разъемам 1-2-3. (Если у определяемого элемента 3 вывода – подключите их к разъемам 1-2-3, если выводов два – подключение следует произвести к любым двум разъемам (1-2; 2-3; 1-3).
2. Зажмите кнопку TEST до появления на дисплее надписи SELECTION:
3. Отпустите кнопку TEST
4. Последующее кратковременное нажатие на кнопку TEST переключает функции в режиме ручного выбора.
5. Для выбора отображаемой на дисплее функции следует зажать кнопку TEST.

0Обозначение меню в режиме ручного выбора

TRANSISTOR – вимірювання параметрів транзисторів
FREQUENCY – вимір частоти (подається на роз'єм 1-2)
f-Genrator – функція частотного генератора (подається на висновки 1-2)
10-bit PWM ― Генератор 10-біт ШІМ сигналу
C+ESR – вимірювання ємності і ESR конденсатора
Rotary encoder – для перевірки Енкодерів.

Ім'я елемента ― індикація на дисплеї

 

NPN транзисторы ― на дисплее "NPN"
PNP транзисторы ― на дисплее "PNP"
N-канальные-обогащенные MOSFET ― на дисплее "N-E-MOS"
р~канальные-обогащенные MOSFET ― на дисплее "Р-Е-MOS"
N-канальные-обедиенные MOSFET ― на дисплее "N-D-MOS"
Р-канальные-обедненные MOSFET ― на дисплее "P-D-MOS"
N-канальные JFET ― на дисплее "N-JFET"
Р-канальные JFET ― на дисплее "P-JFET"
Тиристоры ― на дисплее "Tyrystor"
Симисторы ― на дисплее "Triak"
Диоды ― на дисплее "Diode"
Двухкатодные сборки диодов ― на дисплее "Double diode СК"
Двуханодные сборки диодов ― на дисплее "Double diode СА"
Два послідовно сполучених діода ― на дисплеї "2 diode series"
Діоди симетричні ― на дисплеї "Diode symmetric"
Резистори
Конденсатори ― діапазон від 0,2 nF до 1000uF [nF, uF]

 

 

При вимірі опору або ємності пристрій не дає високої точності

Опис додаткових параметрів виміру

Н21е (коефіцієнт посилення по струму) ― діапазон до 10000

(1-2-3) ― порядок підключених висновків елемента

Наявність елементів захисту ― діода ― "Символ діода"

Пряме напруга ― Uf [mV]

Напруга відкриття (для MOSFET) ― Vt [mV]

Ємність затвора (для MOSFET) ― С= [nF]

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Характеристики
Основні
ВиробникESR
Інформація для замовлення
  • Ціна: 808,30 ₴