Польовий Транзистор IRFZ46N N-ch 55V 53A TO220

Польовий Транзистор IRFZ46N N-ch 55V 53A TO220

   IRFZ46N — потужний N-канальний MOSFET-транзистор серії HEXFET®, призначений для комутації та керування навантаженнями у силових електронних схемах. Транзистор розрахований на напругу стік-витік до 55 В, має низький опір відкритого каналу до 16,5 мОм та здатний працювати з великими імпульсними й постійними струмами за умови належного охолодження.

   Корпус TO-220AB забезпечує зручне встановлення на радіатор і ефективне відведення тепла. IRFZ46N підходить для імпульсних перетворювачів, драйверів двигунів, регуляторів потужності, джерел живлення та інших низьковольтних силових пристроїв.

Особливості
🔹 N-канальна MOSFET-структура. Транзистор використовується як електронний ключ у колах постійного та імпульсного струму. Керування здійснюється напругою між затвором і витоком.
🔹 Низький опір відкритого каналу. Максимальне значення RDS(on) становить 16,5 мОм при VGS = 10 В та ID = 28 А. Низький опір дозволяє зменшити втрати потужності та нагрівання транзистора.
🔹 Висока струмова здатність. Максимальний струм стоку за температури корпусу 25 °C заявлений на рівні 53 А, а імпульсний струм може досягати 180 А. При цьому практично допустимий струм залежить від охолодження, монтажу та обмежень корпусу.
🔹 Швидке перемикання. MOSFET має типові часи ввімкнення та вимкнення, придатні для використання в імпульсних схемах. Повний заряд затвора становить до 72 нКл.
🔹 Лавинна стійкість. IRFZ46N має повністю лавинно-нормовану конструкцію, що підвищує надійність під час роботи з індуктивними навантаженнями.

Переваги
✔ Низький RDS(on)
✔ Струм до 53 А
✔ Швидке перемикання
✔ Корпус TO-220
✔ Лавинна стійкість

Застосування
✅ Імпульсні блоки живлення
✅ DC-DC перетворювачі
✅ Драйвери електродвигунів
✅ ШІМ-регулятори
✅ Силові електронні ключі
✅ Керування LED-навантаженнями
✅ Автомобільна електроніка
✅ Перетворювачі та інвертори

Опис виводів
🔸 Gate (G) — затвор: керуючий вивід транзистора.
🔸 Drain (D) — стік: силовий вивід; також електрично з'єднаний із металевою монтажною пластиною корпусу.
🔸 Source (S) — витік: силовий вивід, відносно якого задається напруга керування затвором.
🔸 Для корпусу TO-220AB при погляді на маркування спереду та виводами вниз: 1 — Gate, 2 — Drain, 3 — Source.

Інструкція до використання
1️⃣ Визначте виводи Gate, Drain та Source відповідно до розпіновки корпусу TO-220AB.
2️⃣ Підключіть транзистор відповідно до схеми пристрою, не перевищуючи допустиму напругу VDS 55 В.
3️⃣ Для повного відкривання транзистора використовуйте достатню напругу керування затвором; значення VGS(th) 2–4 В є лише порогом початку відкривання, а не напругою повного відкриття.
4️⃣ При роботі зі значним струмом встановіть транзистор на відповідний радіатор.
5️⃣ Для керування індуктивними навантаженнями враховуйте імпульсні перенапруги та, за потреби, використовуйте додаткові захисні елементи.

Заходи безпеки
⚠️ Не перевищуйте максимальну напругу стік-витік 55 В.
⚠️ Не перевищуйте допустиму напругу затвор-витік ±20 В.
⚠️ Максимальний струм 53 А вказаний для контрольованої температури корпусу 25 °C та не означає можливість тривалої роботи з таким струмом без ефективного охолодження.
⚠️ Згідно з даними виробника, струм також обмежується можливостями корпусу приблизно до 39 А.
⚠️ При значному розсіюванні потужності обов'язково використовуйте радіатор.
⚠️ MOSFET чутливий до електростатичного розряду, тому під час монтажу бажано застосовувати антистатичні заходи.
⚠️ Металева пластина корпусу електрично з'єднана зі стоком, що необхідно враховувати при монтажі на спільний радіатор.

Технічні характеристики
⚙️ Тип: силовий MOSFET
⚙️ Канал: N-channel
⚙️ Серія: HEXFET®
⚙️ Модель: IRFZ46N
⚙️ Корпус: TO-220AB
⚙️ Максимальна напруга стік-витік VDS: 55 В
⚙️ Максимальний постійний струм стоку при TC = 25 °C: 53 А
⚙️ Постійний струм стоку при TC = 100 °C: 37 А
⚙️ Обмеження струму корпусом: близько 39 А
⚙️ Максимальний імпульсний струм стоку IDM: 180 А
⚙️ Максимальний опір RDS(on): 16,5 мОм
⚙️ Умови вимірювання RDS(on): VGS = 10 В, ID = 28 А
⚙️ Порогова напруга затвора VGS(th): 2,0–4,0 В
⚙️ Максимальна напруга затвор-витік VGS: ±20 В
⚙️ Транскондуктивність gfs: не менше 19 S
⚙️ Максимальна потужність розсіювання при TC = 25 °C: 107 Вт
⚙️ Коефіцієнт зниження потужності: 0,71 Вт/°C
⚙️ Повний заряд затвора Qg: до 72 нКл
⚙️ Заряд Gate-Source Qgs: до 11 нКл
⚙️ Заряд Gate-Drain Qgd: до 26 нКл
⚙️ Вхідна ємність Ciss: тип. 1696 пФ
⚙️ Вихідна ємність Coss: тип. 407 пФ
⚙️ Зворотна передавальна ємність Crss: тип. 110 пФ
⚙️ Затримка ввімкнення td(on): тип. 14 нс
⚙️ Час наростання tr: тип. 76 нс
⚙️ Затримка вимкнення td(off): тип. 52 нс
⚙️ Час спаду tf: тип. 57 нс
⚙️ Допустима швидкість зміни напруги dv/dt: до 5 В/нс
⚙️ Максимальна пряма напруга вбудованого діода VSD: 1,3 В
⚙️ Час зворотного відновлення діода trr: тип. 67 нс
⚙️ Тепловий опір кристал-корпус RθJC: 1,4 °C/Вт
⚙️ Тепловий опір корпус-радіатор RθCS: тип. 0,5 °C/Вт
⚙️ Тепловий опір кристал-навколишнє середовище RθJA: 62 °C/Вт
⚙️ Робоча температура переходу: −55…+175 °C
⚙️ Температура зберігання: −55…+175 °C
⚙️ Максимальна температура пайки: 300 °C протягом 10 секунд

Комплектація
📦 Польовий транзистор IRFZ46N — 1 шт.

IRFZ46N — практичний силовий N-канальний MOSFET для низьковольтних схем із великим струмом. Низький опір відкритого каналу, швидке перемикання та стандартний корпус TO-220 роблять його зручним для ремонту, розробки та побудови силових електронних пристроїв.