Найменування приладу: IRF1310N
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 160
Гранично допустима напруга стік-витік (Uds): 100
Гранично допустима напруга затвор-витік (Ugs): 10
Максимально допустимий постійний струм стоку (Id): 42
Максимальна температура каналу (Tj): 150
Час наростання (tr):
Вихідна ємність (Cd), pf:
Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds), Ом: 0.036
Тип корпусу: TO220AB
Характеристики
Основні | |
---|---|
Тип транзистора | Польовий |
Інформація для замовлення
- Ціна: 32,30 ₴