Польовий Транзистор IRFB4110 100V N-Channel TO-220
Type Designator: IRFB4110
Type of IRFB4110 transistor: MOSFET
Type of control channel: N -Channel
Maximum power dissipation (Pd), W: 370
Maximum drain-voltage source |Uds|, V: 100
Maximum gate-voltage source |Ugs|, V: 20
Maximum drain current |Id|, A: 180
Maximum junction temperature (Tj), °C:
Rise Time of IRFB4110 transistor (tr), nS:
Drain-source Capacitance (Cd), pF:
Maximum drain-source on-state resistance (Rds), Ом: 0.0045
Package: TO220AB
Характеристики
Основні | |
---|---|
Країна виробник | Китай |
Тип транзистора | Польовий |
Максимально допустимий струм стоку | 180 А |
Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
Специфікація
Інформація для замовлення
- Ціна: 70,10 ₴