Технічні характеристики
Виробник | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP. (FAIRCHILD) |
Корпус | TO220F |
Структура | N |
Схема з'єднання | Одиночний |
V(BR)DSS - напруга пробою стік-витік | 900 V |
Vgs - напруга затвор-витік | ±30 V |
Id25 - постійний струм стоку при 25°C | 8 А |
Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C,Vgs=10V | 1.12 Ом |
VGS(th) - граничне напруга затвор-витік (діапазон) | 3 ... 5 V |
Потужність розсіювання при 25°C | 68 Вт |
Характеристики
Основні | |
---|---|
Країна виробник | Китай |
Тип транзистора | Польовий |
Максимально допустима напруга стік-витік | 900 В |
Максимально допустимий струм стоку | 8 А |
Максимальна потужність розсіювання | 68 Вт |
Специфікація
Інформація для замовлення
- Ціна: 83,60 ₴