Наименование: GT60N321
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 230
Емкость коллектора (Cc), pf:
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Страна производитель | Китай |
| Тип монтажа | Вставной |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 1000 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 60 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 170 Вт |
| Тип транзистора | Транзисторный модуль |
| Материал корпуса | Пластик |
Информация для заказа
- Цена: 143,90 ₴




