Характеристики транзистора TIP102
- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 8 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 20000
- Корпус: TO-220
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-база | 100 В |
| Тип транзистора | Транзисторный модуль |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 100 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 8 А |
Спецификация
Информация для заказа
- Цена: 12 ₴




