Транзистор IGBT FGH60N60SMD
- В наличии 1 ед.
- Код: 11858
172 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 250 ₴
Транзистор IGBT FGH60N60SMDВ наличии 1 ед.
172 ₴
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема соединения | Одиночный |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 600 V |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20 V |
| Макс. ток коллектора (25°C) | 120 А |
| Макс. ток коллектора (100°C) | 60 А |
| Макс. постоянный ток диода (25°С) | 60 А |
| Макс. постоянный ток диода (100°С) | 30 А |
| Время восстановления диода (25°С/tmax) | 30 / 72 нс |
| Мощность рассеяния при 25°C | 600 Вт |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Тип полевого транзистора | Со встроенным каналом |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 120 А |
Информация для заказа
- Цена: 172 ₴