Транзистор IGBT FGH60N60SMD
- В наявності 1 од.
- Код: 11858
172 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 250 ₴
Транзистор IGBT FGH60N60SMDВ наявності 1 од.
172 ₴
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Макс. напруга колектор-емітер | 600 V |
| Напруга затвор - емітер | ±20 V |
| Макс. ток колектора (25°C) | 120 А |
| Макс. ток колектора (100°C) | 60 А |
| Макс. постійний струм діода (25°С) | 60 А |
| Макс. постійний струм діода (100°С) | 30 А |
| Час відновлення діода (25°С/tmax) | 30 / 72 нс |
| Потужність розсіювання при 25°C | 600 Вт |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Країна виробник | Китай |
| Тип польового транзистора | З вбудованим каналом |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 120 А |
Інформація для замовлення
- Ціна: 172 ₴