Транзистор биполярный B772M PNP 30V 3A SOT-89-3L
- Более 10 ед.
- Оптом и в розницу
- Код: 25298
3,20 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 250 ₴
Транзистор биполярный B772M PNP 30V 3A SOT-89-3L
B772M — мощный биполярный PNP-транзистор в компактном SMD-корпусе SOT-89-3L, предназначенный для коммутации и усиления тока в электронных устройствах. Максимальный постоянный ток коллектора составляет −3 А, допустимое напряжение коллектор-эмиттер — −30 В, а коллектор-база — −40 В. Производитель отдельно указывает применение транзистора для низкоскоростной коммутации.
Особенности
🔹 PNP-структура. B772 представляет собой одиночный биполярный PNP-транзистор. Может использоваться в ключевых и усилительных каскадах.
🔹 Ток коллектора до 3 А. Максимально допустимый постоянный ток коллектора составляет −3 А. Это позволяет использовать транзистор для управления реле, светодиодами, небольшими двигателями и другими нагрузками.
🔹 Низкое напряжение насыщения. Максимальное VCE(sat) составляет −0,5 В при IC=−2 А и IB=−0,2 А. Небольшое падение напряжения помогает уменьшить потери мощности в ключевом режиме.
🔹 Коэффициент передачи тока 160–320. Данная товарная позиция соответствует группе Y, для которой hFE находится в диапазоне 160–320.
🔹 Граничная частота 50 МГц. Параметр fT составляет 50 МГц при VCE=−5 В и IC=−0,1 А. Характеристика позволяет применять транзистор не только в статических ключах, но и в более быстрых схемах.
🔹 Компактный корпус SOT-89-3L. Корпус рассчитан на поверхностный монтаж и имеет три вывода. Распиновка производителя: 1 — Base, 2 — Collector, 3 — Emitter.
Преимущества
✔ Ток до 3 А
✔ Низкое VCE(sat)
✔ hFE 160–320
✔ Частота 50 МГц
✔ Компактный SMD
✔ Корпус SOT-89
Применение
✅ Ключевые схемы
✅ Драйверы реле
✅ LED-драйверы
✅ Управление двигателями
✅ Преобразователи питания
✅ Стабилизаторы напряжения
✅ Усилительные каскады
✅ Бытовая электроника
Описание интерфейсов
🔸 Вывод 1 — Base (B), база. Управляющий вывод транзистора.
🔸 Вывод 2 — Collector (C), коллектор. Основной силовой вывод коллекторного перехода.
🔸 Вывод 3 — Emitter (E), эмиттер. Вывод эмиттера транзистора.

Инструкция по использованию
1️⃣ Определите выводы транзистора согласно распиновке 1-B, 2-C, 3-E.
2️⃣ Для ключевого режима рассчитайте требуемый ток базы с учетом тока нагрузки.
3️⃣ Установите токоограничивающий резистор в цепи базы.
4️⃣ При работе с индуктивной нагрузкой применяйте защитный диод от импульсов самоиндукции.
5️⃣ Не превышайте максимальный ток коллектора 3 А.
6️⃣ При значительной нагрузке обеспечьте достаточный теплоотвод через медные площадки печатной платы.
7️⃣ После монтажа проверьте правильность полярности PNP-транзистора и отсутствие перегрева.
Меры безопасности
⚠️ Не превышайте напряжение коллектор-база −40 В.
⚠️ Не превышайте напряжение коллектор-эмиттер −30 В.
⚠️ Не превышайте ток коллектора −3 А.
⚠️ Не превышайте допустимую мощность рассеивания 0,5 Вт.
⚠️ При больших токах обеспечивайте эффективный отвод тепла.
⚠️ Для индуктивных нагрузок предусматривайте защиту от импульсов самоиндукции.
Технические характеристики
⚙️ Модель: B772M
⚙️ Базовое обозначение в документации: B772
⚙️ Производитель: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd (CJ)
⚙️ Тип: биполярный транзистор
⚙️ Структура: PNP
⚙️ Конфигурация: одиночный
⚙️ Корпус: SOT-89-3L
⚙️ Монтаж: SMD
⚙️ Маркировка корпуса: B772
⚙️ Максимальное напряжение коллектор-база VCBO: −40 В
⚙️ Максимальное напряжение коллектор-эмиттер VCEO: −30 В
⚙️ Максимальное напряжение эмиттер-база VEBO: −6 В
⚙️ Максимальный постоянный ток коллектора IC: −3 А
⚙️ Мощность рассеивания PC: 0,5 Вт
⚙️ Тепловое сопротивление переход–окружающая среда RθJA: 250 °C/Вт
⚙️ Максимальная температура перехода Tj: 150 °C
⚙️ Температура хранения: −55…+150 °C
⚙️ Коэффициент передачи тока hFE для данной версии: 160–320
⚙️ Группа hFE: Y
⚙️ Условия измерения hFE: VCE=−2 В, IC=−1 А
⚙️ Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): до −0,5 В
⚙️ Условия VCE(sat): IC=−2 А, IB=−0,2 А
⚙️ Напряжение насыщения база-эмиттер VBE(sat): до −1,5 В
⚙️ Условия VBE(sat): IC=−2 А, IB=−0,2 А
⚙️ Ток утечки коллектор-база ICBO: до −1 мкА
⚙️ Ток утечки коллектор-эмиттер ICEO: до −10 мкА
⚙️ Ток утечки эмиттер-база IEBO: до −1 мкА
⚙️ Граничная частота fT: 50 МГц
⚙️ Условия измерения fT: VCE=−5 В, IC=−0,1 А, f=10 МГц

Комплектация
📦 Транзистор B772M SOT-89-3L — 1 шт.
B772M — компактный PNP-транзистор для поверхностного монтажа с максимальным током 3 А, коэффициентом передачи тока 160–320 и граничной частотой 50 МГц, подходящий для ключевых, драйверных и усилительных каскадов.
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | P-N-P |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-база | 40 В |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 30 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 3 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Производитель | SAT |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 50 МГц |
| Минимальная рабочая температура | -50 град. |
| Максимальная рабочая температура | 150 град. |
| Состояние | Новое |
- Цена: 3,20 ₴










