Транзистор полевой IRFB7430PBF N CH 40V 195A 1.3mOhm TO-220

Транзистор полевой IRFB7430PBF N CH 40V 195A 1.3mOhm TO-220

   IRFB7430PBF — мощный N-канальный MOSFET серии HEXFET® / StrongIRFET™, предназначенный для низковольтных силовых цепей с очень большими токами. Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток до 40 В, обладает чрезвычайно низким сопротивлением открытого канала до 1,3 мОм и выполнен в корпусе TO-220AB. Производитель указывает ток, ограниченный корпусом, 195 А, тогда как расчётный silicon-limited ток при 25 °C достигает 409 А.

Особенности
🔹 Сверхнизкое сопротивление открытого канала. Типичное значение RDS(on) составляет 1,0 мОм, максимальное — 1,3 мОм при VGS = 10 В и ID = 100 А. При VGS = 6 В и ID = 50 А типичное сопротивление составляет около 1,2 мОм.
🔹 Очень высокая токовая способность. Расчётный постоянный ток стока при TC = 25 °C достигает 409 А, при TC = 100 °C — 289 А, однако практическое ограничение корпуса и бондинговых проводников составляет 195 А.
🔹 Повышенная стойкость силового ключа. Конструкция отличается улучшенной стойкостью затвора, лавинной стойкостью и повышенной устойчивостью к высоким dV/dt и dI/dt. Это особенно важно в моторных приводах и импульсных преобразователях.
🔹 Высокая рассеиваемая мощность. Максимальная мощность рассеивания при температуре корпуса 25 °C составляет 375 Вт, а тепловое сопротивление переход-корпус — всего 0,40 °C/Вт. Для работы с высокой мощностью требуется эффективный радиатор.
🔹 Корпус TO-220AB. Стандартный силовой корпус удобен для монтажа и установки на радиатор. Выводы имеют конфигурацию Gate–Drain–Source.

Преимущества
✔ RDS(on) до 1,3 мОм
✔ Ток до 195 А
✔ Напряжение до 40 В
✔ Высокая лавинная стойкость
✔ Корпус TO-220AB

Применение
✅ Драйверы DC-двигателей
✅ Драйверы BLDC-двигателей
✅ Аккумуляторные устройства
✅ Полумостовые схемы
✅ Мостовые схемы
✅ Синхронные выпрямители
✅ DC-DC преобразователи
✅ AC-DC преобразователи
✅ DC-AC инверторы
✅ Силовые электронные ключи

   Производитель отдельно указывает применение в brushed/BLDC motor drive, battery-powered circuits, half-bridge/full-bridge, synchronous rectifier, DC/DC, AC/DC и DC/AC схемах.

Описание выводов
🔸 1 — Gate (G), затвор: управляющий вывод MOSFET.
🔸 2 — Drain (D), сток: силовой вывод; металлическая пластина корпуса также электрически соединена со стоком.
🔸 3 — Source (S), исток: силовой вывод.
🔸 Расположение выводов для TO-220AB: G–D–S. 

Инструкция по использованию
1️⃣ Подключите выводы Gate, Drain и Source в соответствии со схемой устройства.
2️⃣ Для получения минимального RDS(on) используйте управление затвором около 10 В; VGS(th) 2,2–3,9 В является только порогом начала открытия.
3️⃣ При больших токах обязательно установите транзистор на соответствующий радиатор.
4️⃣ Для импульсного управления используйте драйвер затвора, способный быстро заряжать и разряжать значительную ёмкость затвора.
5️⃣ Не превышайте максимально допустимые значения напряжения, тока и температуры перехода.

Меры безопасности
⚠️ Не превышайте максимальное напряжение сток-исток 40 В.
⚠️ Не превышайте напряжение затвор-исток ±20 В.
⚠️ Значение 409 А является silicon-limited и не является практическим допустимым постоянным током через корпус; корпусное ограничение составляет 195 А.
⚠️ При больших токах возможен значительный нагрев выводов и соединений, поэтому проводники и дорожки должны иметь минимальное сопротивление.
⚠️ Металлическая пластина корпуса электрически соединена со стоком.
⚠️ Не допускайте превышения температуры перехода +175 °C.
⚠️ При монтаже нескольких транзисторов на общий радиатор при необходимости используйте электроизоляционные прокладки.

Технические характеристики
⚙️ Производитель: International Rectifier / Infineon Technologies
⚙️ Модель: IRFB7430PBF
⚙️ Тип: силовой MOSFET
⚙️ Структура: N-channel
⚙️ Серия: HEXFET® / StrongIRFET™
⚙️ Схема: одиночный транзистор
⚙️ Корпус: TO-220AB
⚙️ Максимальное напряжение сток-исток VDS: 40 В
⚙️ Максимальное напряжение затвор-исток VGS: ±20 В
⚙️ Постоянный ток стока при TC = 25 °C, silicon-limited: 409 А
⚙️ Постоянный ток стока при TC = 100 °C, silicon-limited: 289 А
⚙️ Ток, ограниченный корпусом / wire bond: 195 А
⚙️ Максимальный импульсный ток стока IDM: 1524 А
⚙️ RDS(on) при VGS = 10 В, ID = 100 А: тип. 1,0 мОм, макс. 1,3 мОм
⚙️ RDS(on) при VGS = 6 В, ID = 50 А: тип. 1,2 мОм
⚙️ Пороговое напряжение VGS(th): 2,2–3,9 В
⚙️ Прямая крутизна gfs: не менее 150 S
⚙️ Внутреннее сопротивление затвора RG: тип. 2,1 Ом
⚙️ Максимальная рассеиваемая мощность при TC = 25 °C: 375 Вт
⚙️ Линейный коэффициент снижения мощности: 2,5 Вт/°C
⚙️ Полный заряд затвора Qg: тип. 300 нКл, макс. 460 нКл
⚙️ Заряд Gate-Source Qgs: тип. 77 нКл
⚙️ Заряд Gate-Drain Qgd: тип. 98 нКл
⚙️ Задержка включения td(on): тип. 32 нс
⚙️ Время нарастания tr: тип. 105 нс
⚙️ Задержка выключения td(off): тип. 160 нс
⚙️ Время спада tf: тип. 100 нс
⚙️ Входная ёмкость Ciss: тип. 14240 пФ
⚙️ Выходная ёмкость Coss: тип. 2130 пФ
⚙️ Обратная передаточная ёмкость Crss: тип. 1460 пФ
⚙️ Максимальное прямое напряжение встроенного диода VSD: 1,2 В
⚙️ Время обратного восстановления диода trr: тип. 52 нс
⚙️ Тепловое сопротивление переход-корпус RθJC: макс. 0,40 °C/Вт
⚙️ Тепловое сопротивление корпус-радиатор RθCS: тип. 0,50 °C/Вт
⚙️ Тепловое сопротивление переход-окружающая среда RθJA: макс. 62 °C/Вт
⚙️ Рабочая температура перехода: −55…+175 °C
⚙️ Температура хранения: −55…+175 °C
⚙️ Максимальная температура пайки: 300 °C в течение 10 секунд
⚙️ RoHS: да
⚙️ Halogen-Free: да

   Динамические параметры, характеристики затвора и встроенного диода приведены в официальном даташите IRFB7430PbF. 

Комплектация
📦 Полевой транзистор IRFB7430PBF — 1 шт.

   IRFB7430PBF особенно хорошо подходит для низковольтных силовых схем, где важны минимальные потери на ключе и работа с большими токами. Сопротивление до 1,3 мОм, корпус TO-220AB и высокая токовая способность делают его хорошим выбором для мощных моторных драйверов, преобразователей и аккумуляторных систем.