Транзистор IGBT STGB15M65DF2 15А 650V D2PAK
- Более 10 ед.
- Оптом и в розницу
- Код: 24949
105,30 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 250 ₴
Транзистор IGBT STGB15M65DF2 15А 650V D²PAK
Транзистор IGBT STGB15M65DF2 15A 650V D²PAK — это современный силовой IGBT-транзистор серии M от STMicroelectronics, разработанный для высокоэффективных инверторов, систем управления электродвигателями, источников бесперебойного питания и узлов коррекции коэффициента мощности (PFC). Компонент изготовлен по передовой технологии Trench Gate Field-Stop, обеспечивающей низкие потери при переключении, высокую стойкость к короткому замыканию и улучшенную энергоэффективность. Наличие быстродействующего антипараллельного диода делает устройство оптимальным выбором для работы с индуктивными нагрузками.
Особенности
🔹 Построен по современной технологии Trench Gate Field-Stop для достижения высокой эффективности и низких потерь мощности.
🔹 Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) всего 1.55 В (типовое значение при токе 15 А), что снижает тепловыделение при работе.
🔹 Высокая стойкость к короткому замыканию обеспечивает дополнительный запас надёжности в силовых системах.
🔹 Оснащён сверхбыстрым антипараллельным диодом с мягким восстановлением, что улучшает работу в инверторных схемах.
🔹 Положительный температурный коэффициент VCE(sat) упрощает параллельное подключение нескольких транзисторов.
🔹 Узкий разброс параметров между экземплярами обеспечивает стабильность характеристик и предсказуемую работу устройств.
🔹 Корпус D²PAK обеспечивает эффективный отвод тепла и подходит для автоматизированного поверхностного монтажа.
🔹 Оптимизирован для применений, где важно сочетание низких потерь и высокой надёжности работы.
Преимущества
✔ Рабочее напряжение до 650 В
✔ Встроенный быстродействующий диод
✔ Низкие потери проводимости
✔ Высокая стойкость к короткому замыканию
✔ Подходит для параллельного подключения
✔ Высокая рассеиваемая мощность
✔ Корпус для SMD-монтажа
✔ Производство STMicroelectronics
Применение
✅ Управление электродвигателями
✅ Источники бесперебойного питания (UPS)
✅ Системы коррекции коэффициента мощности (PFC)
✅ Инверторы общего назначения
✅ Импульсные источники питания
✅ Преобразователи напряжения
✅ Промышленная автоматика
✅ Силовая электроника
Описание интерфейсов
🔸 (1) Gate (G) — управляющий вход затвора
🔸 (2, TAB) Collector (C) — коллектор транзистора
🔸 (3) Emitter (E) — эмиттер транзистора
🔸 Антипараллельный диод — защита и работа с индуктивными нагрузками
🔸 Корпус D²PAK — поверхностный монтаж на печатную плату

Инструкция по использованию
1️⃣ Установите транзистор на печатную плату согласно схеме подключения.
2️⃣ Подключите коллектор, эмиттер и затвор в соответствии с требованиями проекта.
3️⃣ Обеспечьте необходимый уровень управляющего напряжения для затвора.
4️⃣ Перед запуском проверьте правильность монтажа и качество пайки.
5️⃣ При работе с высокими токами обеспечьте достаточный теплоотвод от корпуса.
Меры безопасности
⚠️ Не превышайте максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер.
⚠️ Не допускайте превышения допустимого тока коллектора и диода.
⚠️ Защищайте затвор от статического электричества.
⚠️ Обеспечьте надлежащее охлаждение при работе на больших мощностях.
⚠️ Не превышайте допустимое напряжение затвор-эмиттер ±20 В.
⚠️ Монтаж и обслуживание выполняйте только при отключённом питании.
Технические характеристики
⚙️ Производитель: STMicroelectronics (STM)
⚙️ Серия: M Series
⚙️ Тип компонента: IGBT-транзистор с диодом
⚙️ Структура: IGBT + Diode
⚙️ Схема соединения: одиночный
⚙️ Корпус: D²PAK
⚙️ Тип монтажа: SMD
⚙️ Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
⚙️ Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
⚙️ Максимальный ток коллектора при 25°C: 30 А
⚙️ Максимальный ток коллектора при 100°C: 15 А
⚙️ Максимальный постоянный ток диода при 25°C: 30 А
⚙️ Максимальный постоянный ток диода при 100°C: 15 А
⚙️ Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): 1.55 В (тип.)
⚙️ Время восстановления диода при 25°C: 142 нс
⚙️ Время восстановления диода при Tmax: 241 нс
⚙️ Рассеиваемая мощность при 25°C: 136 Вт
⚙️ Тип диода: антипараллельный, быстродействующий
⚙️ Температурный коэффициент VCE(sat): положительный
Комплектация
📦 Транзистор IGBT STGB20M65DF2 D²PAK — 1 шт.
Транзистор STGB20M65DF2 сочетает низкие потери проводимости, высокое быстродействие и отличную устойчивость к перегрузкам, что делает его эффективным решением для современной силовой электроники. Благодаря встроенному быстродействующему диоду и высокой надёжности он успешно применяется в инверторах, системах управления двигателями и промышленных источниках питания.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Транзисторный модуль |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 15 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 136 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Дополнительные характеристики | |
| Минимальная рабочая температура | -50 град. |
| Максимальная рабочая температура | 175 град. |
| Состояние | Новое |
- Цена: 105,30 ₴




