Транзистор IGBT IKW20N60T (K20T60) 40A 600V TO-247
Транзистор IGBT IKW20N60T (K20T60) — це високонадійний силовий напівпровідниковий елемент від Infineon, призначений для роботи у високовольтних та високострумових схемах. Поєднання IGBT-структури з вбудованим швидким діодом робить його ефективним рішенням для інверторів, імпульсних джерел живлення, зварювальних апаратів, мотор-драйверів та іншої потужної електроніки.
Особливості:
🔹 Поєднання IGBT + діод (Fast Recovery Diode).
🔹 Висока робоча напруга — 600 В.
🔹 Максимальний струм колектора до 40 А при 25°C.
🔹 Можливість роботи при підвищених температурах (до 100°C із струмом 20 А).
🔹 Висока швидкість відновлення діода: 41 нс / 176 нс.
🔹 Велика допустима потужність розсіювання — 166 Вт.
🔹 Корпус TO-247 для ефективного теплообміну та монтажу.
🔹 Широке застосування в силових перетворювачах та імпульсних схемах.
Переваги:
✔ Висока енергоефективність та низькі втрати.
✔ Стійкість до перенапруг та великих струмів.
✔ Надійна робота у промислових силових схемах.
✔ Вбудований діод з малим часом відновлення.
✔ Простий монтаж у стандартному корпусі TO-247.
Застосування:
✅ Інвертори
✅ Частотні перетворювачі
✅ Зварювальні апарати
✅ Імпульсні блоки живлення
✅ Перетворювачі двигунів
✅ Силова автоматика та промислова електроніка
Опис інтерфейсів:
🔸 Корпус TO-247 — три стандартні виводи:
— G (Gate) — затвор
— C (Collector) — колектор
— E (Emitter) — емітер

Інструкція до використання:
1️⃣ Забезпечити надійне кріплення до радіатора для ефективного охолодження.
2️⃣ Використовувати термопасту для зниження теплового опору.
3️⃣ Не перевищувати напругу затвор-емітер ±20 В.
4️⃣ Дотримуватися правильної полярності підключення.
5️⃣ Забезпечити захист від перенапруг (snubber-ланцюги).
Заходи безпеки:
⚠️ Не перевищувати максимальні параметри, зазначені виробником.
⚠️ Уникати роботи без охолодження під великим навантаженням.
⚠️ Працювати тільки при вимкненому живленні.
⚠️ Захищати затвор від статичного розряду (ESD).
Технічні характеристики:
⚙️ Виробник: Infineon
⚙️ Корпус: TO-247
⚙️ Тип: IGBT + діод
⚙️ Максимальна напруга C-E: 600 В
⚙️ Максимальна напруга G-E: ±20 В
⚙️ Струм колектора (25°C): 40 А
⚙️ Струм колектора (100°C): 20 А
⚙️ Струм діода: 40 А (25°C) / 20 А (100°C)
⚙️ Час відновлення діода: 41 / 176 нс
⚙️ Потужність розсіювання: 166 Вт
Комплектація:
📦 IGBT транзистор IKW20N60T
IGBT забезпечує високу ефективність та надійність у потужних електронних пристроях, що робить його одним із найкращих виборів для промислових застосувань.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Транзисторний модуль |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 40 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 166 Вт |
- Ціна: 74,80 ₴







