Транзистор IGBT IKW20N60T (K20T60) 40A 600V TO-247
Транзистор IGBT IKW20N60T (K20T60) — высоконадежный силовой IGBT-транзистор с интегрированным быстрым диодом, разработанный компанией Infineon. Предназначен для мощных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования, импульсных блоков питания и другой промышленной электроники, работающей при повышенных токах и напряжениях.
Особенности:
🔹 Комбинация IGBT + быстрый диод.
🔹 Рабочее напряжение 600 В.
🔹 Максимальный ток коллектора 40 А при 25°C.
🔹 Допустимая работа при повышенной температуре (20 А при 100°C).
🔹 Быстрое восстановление диода: 41 нс / 176 нс.
🔹 Высокая мощность рассеяния — 166 Вт.
🔹 Корпус TO-247 для эффективного охлаждения.
🔹 Оптимальный выбор для мощных преобразователей и инверторных схем.
Преимущества:
✔ Высокая эффективность и низкие коммутационные потери.
✔ Надежная работа при высоких напряжениях.
✔ Встроенный быстрый диод снижает тепловые и коммутационные потери.
✔ Стойкость к перегрузкам и перенапряжениям.
✔ Удобный монтаж в корпусе TO-247.
Применение:
✅ Инверторы
✅ Частотные преобразователи
✅ Сварочные аппараты
✅ Импульсные блоки питания
✅ Приводы двигателей
✅ Промышленная силовая электроника
Описание интерфейсов:
🔸 Корпус TO-247, выводы:
— G — затвор
— C — коллектор
— E — эмиттер

Инструкция по использованию:
1️⃣ Использовать радиатор для отвода тепла.
2️⃣ Нанести термопасту для уменьшения теплового сопротивления.
3️⃣ Не превышать напряжение затвор-эмиттер ±20 В.
4️⃣ Подключать строго по схеме.
5️⃣ При работе в импульсных схемах использовать цепи защиты (snubber).
Меры безопасности:
⚠️ Не превышать максимально допустимые параметры.
⚠️ Избегать работы без охлаждения при больших токах.
⚠️ Монтаж выполнять при отключенном питании.
⚠️ Защищать затвор от статического электричества (ESD).
Технические характеристики:
⚙️ Производитель: Infineon
⚙️ Корпус: TO-247
⚙️ Тип структуры: IGBT + Diode
⚙️ Максимальное напряжение C-E: 600 В
⚙️ Напряжение G-E: ±20 В
⚙️ Ток коллектора (25°C): 40 А
⚙️ Ток коллектора (100°C): 20 А
⚙️ Постоянный ток диода: 40 А / 20 А
⚙️ Время восстановления диода: 41 / 176 нс
⚙️ Мощность рассеяния: 166 Вт
Комплектация:
📦 IGBT транзистор IKW20N60T
Транзистор забезпечує високу ефективність, низькі втрати та довговічність, що робить його ідеальним рішенням для потужних промислових перетворювачів.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Транзисторный модуль |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 40 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 166 Вт |
- Цена: 73,90 ₴







