Транзистор FIR120N055P N-ch 55V 120A Typ:4.1mΩ TO220

Транзистор FIR120N055P N-ch 55V 120A Typ:4.1mΩ TO220

   Транзистор FIR120N055P — современный n-канальный MOSFET в корпусе TO-220, предназначенный для силовой электроники, преобразователей, драйверов моторов и высокотоковых схем. Обладает низким сопротивлением канала, высокой нагрузочной способностью и стабильной работой при повышенных температурах.

Особенности:
🔹 N-канальный MOSFET с максимальным током до 120 А при 25°C.
🔹 Низкое сопротивление открытого канала 4.1 мОм, снижает нагрев и потери.
🔹 Максимальное напряжение сток-исток — 55 В.
🔹 При підвищених температурах здатен пропускати 85 А.
🔹 Корпус TO-220 зручний для встановлення на радіатор.
🔹 Пороговая напруга 2…4 В — совместим с большинством драйверов MOSFET.

Преимущества:
✔ Минимальные потери благодаря низкому Rds(on).
✔ Высокий рабочий ток.
✔ Простая установка и охлаждение.
✔ Подходит для мощных силовых схем.

Применение:
✅ Импульсные преобразователи.
✅ Драйверы двигателей.
✅ Силовые модули и блоки питания.
✅ Коммутация больших токов.
✅ BMS и зарядные системы.

Описание интерфейсов:
🔸 Корпус TO-220, выводы Затвор (Gate) — Сток (Drain) — Исток (Source).

Инструкция по использованию:
1️⃣ Подключите транзистор согласно схеме.
2️⃣ Обеспечьте эффективность охлаждения.
3️⃣ Соблюдайте предел Vgs ±20 В.
4️⃣ Избегайте коротких замыканий и перегрузок.

Меры безопасности:
⚠️ Не превышайте параметры Vgs.
⚠️ Используйте радиатор при больших токах.
⚠️ Подключайте только при снятом напряжении.

Технические характеристики:
⚙️ Производитель: FIRST SEMI (FS)
⚙️ Корпус: TO-220
⚙️ Тип структуры: N-канал
⚙️ Конфигурация: одиночный транзистор
⚙️ V(BR)DSS: 55 В
⚙️ Vgs: ±20 В
⚙️ Id (25°C): 120 А
⚙️ Id (75–100°C): 85 А
⚙️ Rds(on) 25°C (Vgs=10V): 4.1 мОм
⚙️ VGS(th) тип.: 3 В
⚙️ VGS(th) диапазон: 2…4 В

Комплектация:
📦 Транзистор FIR120N055P

   Надёжный и мощный MOSFET, идеально подходящий для силовых приложений, требующих высокой эффективности и устойчивости к нагрузкам.