Транзистор полевой IRFZ46N N-ch 55V 53A TO220

Польовий Транзистор IRFZ46N N-ch 55V 53A TO220

   IRFZ46N — мощный N-канальный MOSFET-транзистор серии HEXFET®, предназначенный для коммутации и управления нагрузками в силовых электронных схемах. Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток до 55 В, имеет низкое сопротивление открытого канала до 16,5 мОм и способен работать с большими импульсными и постоянными токами при условии соответствующего охлаждения.

   Корпус TO-220AB обеспечивает удобную установку на радиатор и эффективный отвод тепла. IRFZ46N подходит для импульсных преобразователей, драйверов двигателей, регуляторов мощности, источников питания и других низковольтных силовых устройств.

Особенности
🔹 N-канальная MOSFET-структура. Транзистор используется в качестве электронного ключа в цепях постоянного и импульсного тока. Управление осуществляется напряжением между затвором и истоком.
🔹 Низкое сопротивление открытого канала. Максимальное значение RDS(on) составляет 16,5 мОм при VGS = 10 В и ID = 28 А. Низкое сопротивление помогает уменьшить потери мощности и нагрев транзистора.
🔹 Высокая токовая способность. Максимальный ток стока при температуре корпуса 25 °C заявлен на уровне 53 А, а импульсный ток может достигать 180 А. Реально допустимый ток зависит от охлаждения, монтажа и ограничений корпуса.
🔹 Быстрое переключение. MOSFET имеет времена включения и выключения, подходящие для импульсных схем. Полный заряд затвора составляет до 72 нКл.
🔹 Лавинная стойкость. IRFZ46N имеет полностью лавинно-нормированную конструкцию, что повышает надёжность при работе с индуктивными нагрузками.

Преимущества
✔ Низкий RDS(on)
✔ Ток до 53 А
✔ Быстрое переключение
✔ Корпус TO-220
✔ Лавинная стойкость

Применение
✅ Импульсные блоки питания
✅ DC-DC преобразователи
✅ Драйверы электродвигателей
✅ ШИМ-регуляторы
✅ Силовые электронные ключи
✅ Управление LED-нагрузками
✅ Автомобильная электроника
✅ Преобразователи и инверторы

Описание выводов
🔸 Gate (G) — затвор: управляющий вывод транзистора.
🔸 Drain (D) — сток: силовой вывод; также электрически соединён с металлической монтажной пластиной корпуса.
🔸 Source (S) — исток: силовой вывод, относительно которого задаётся управляющее напряжение затвора.
🔸 Для корпуса TO-220AB при взгляде на маркировку спереди и выводами вниз: 1 — Gate, 2 — Drain, 3 — Source.

Инструкция по использованию
1️⃣ Определите выводы Gate, Drain и Source согласно распиновке корпуса TO-220AB.
2️⃣ Подключите транзистор согласно схеме устройства, не превышая допустимое напряжение VDS 55 В.
3️⃣ Для полного открытия транзистора используйте достаточное напряжение управления затвором; VGS(th) 2–4 В является лишь порогом начала открытия, а не напряжением полного открытия.
4️⃣ При работе со значительным током установите транзистор на подходящий радиатор.
5️⃣ При управлении индуктивной нагрузкой учитывайте импульсные перенапряжения и при необходимости применяйте дополнительные защитные элементы.

Меры безопасности
⚠️ Не превышайте максимальное напряжение сток-исток 55 В.
⚠️ Не превышайте допустимое напряжение затвор-исток ±20 В.
⚠️ Максимальный ток 53 А указан при контролируемой температуре корпуса 25 °C и не означает возможность длительной работы с таким током без эффективного охлаждения.
⚠️ Согласно данным производителя, ток дополнительно ограничивается возможностями корпуса примерно до 39 А.
⚠️ При значительном рассеивании мощности обязательно используйте радиатор.
⚠️ MOSFET чувствителен к электростатическому разряду, поэтому при монтаже желательно соблюдать антистатические меры.
⚠️ Металлическая пластина корпуса электрически соединена со стоком, что необходимо учитывать при монтаже на общий радиатор.

Технические характеристики
⚙️ Тип: силовой MOSFET
⚙️ Канал: N-channel
⚙️ Серия: HEXFET®
⚙️ Модель: IRFZ46N
⚙️ Корпус: TO-220AB
⚙️ Максимальное напряжение сток-исток VDS: 55 В
⚙️ Максимальный постоянный ток стока при TC = 25 °C: 53 А
⚙️ Постоянный ток стока при TC = 100 °C: 37 А
⚙️ Ограничение тока корпусом: около 39 А
⚙️ Максимальный импульсный ток стока IDM: 180 А
⚙️ Максимальное сопротивление RDS(on): 16,5 мОм
⚙️ Условия измерения RDS(on): VGS = 10 В, ID = 28 А
⚙️ Пороговое напряжение затвора VGS(th): 2,0–4,0 В
⚙️ Максимальное напряжение затвор-исток VGS: ±20 В
⚙️ Крутизна характеристики gfs: не менее 19 S
⚙️ Максимальная рассеиваемая мощность при TC = 25 °C: 107 Вт
⚙️ Коэффициент снижения мощности: 0,71 Вт/°C
⚙️ Полный заряд затвора Qg: до 72 нКл
⚙️ Заряд Gate-Source Qgs: до 11 нКл
⚙️ Заряд Gate-Drain Qgd: до 26 нКл
⚙️ Входная ёмкость Ciss: тип. 1696 пФ
⚙️ Выходная ёмкость Coss: тип. 407 пФ
⚙️ Обратная передаточная ёмкость Crss: тип. 110 пФ
⚙️ Задержка включения td(on): тип. 14 нс
⚙️ Время нарастания tr: тип. 76 нс
⚙️ Задержка выключения td(off): тип. 52 нс
⚙️ Время спада tf: тип. 57 нс
⚙️ Допустимая скорость изменения напряжения dv/dt: до 5 В/нс
⚙️ Максимальное прямое напряжение встроенного диода VSD: 1,3 В
⚙️ Время обратного восстановления диода trr: тип. 67 нс
⚙️ Тепловое сопротивление кристалл-корпус RθJC: 1,4 °C/Вт
⚙️ Тепловое сопротивление корпус-радиатор RθCS: тип. 0,5 °C/Вт
⚙️ Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда RθJA: 62 °C/Вт
⚙️ Рабочая температура перехода: −55…+175 °C
⚙️ Температура хранения: −55…+175 °C
⚙️ Максимальная температура пайки: 300 °C в течение 10 секунд

Комплектация
📦 Полевой транзистор IRFZ46N — 1 шт.

   IRFZ46N — практичный силовой N-канальный MOSFET для низковольтных схем с большим током. Низкое сопротивление открытого канала, быстрое переключение и стандартный корпус TO-220 делают его удобным для ремонта, разработки и построения силовых электронных устройств.