Транзистор полевой IRFB4110 100V N-Channel TO-220
Type Designator: IRFB4110
Type of IRFB4110 transistor: MOSFET
Type of control channel: N -Channel
Maximum power dissipation (Pd), W: 370
Maximum drain-source voltage |Uds|, V: 100
Maximum gate-source voltage |Ugs|, V: 20
Maximum drain current |Id|, A: 180
Maximum junction temperature (Tj), °C:
Rise Time of IRFB4110 transistor (tr), nS:
Drain-source Capacitance (Cd), pF:
Maximum drain-source on-state resistance (Rds), Ohm: 0.0045
Package: TO220AB
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимально допустимый ток стока | 180 А |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
Спецификация
Информация для заказа
- Цена: 73,50 ₴




