Технические характеристики
| Производитель | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP. (FAIRCHILD) |
| Корпус | TO220 |
| Структура | N |
| Схема соединения | Одиночный |
| V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | ±20 V |
| Id25 - постоянный ток стока при 25°C | 156 А |
| Id25 (Package Limited) - постоянный ток стока при 25°C ограниченный конструкцией корпуса | 80 А |
| Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V | 3.4 мОм |
| Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=5V | 4 мОм |
| VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) | 1.2 ... 2.5 V |
| Мощность рассеяния при 25°C | 160 Вт |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 156 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 160 Вт |
Информация для заказа
- Цена: 61,60 ₴




